Samsung начинает массовое производство 30nm в основе 2Gb DDR3 RAM

Samsung 30nm в основе 2Gb (Gigabit) DDR3 модуля, который был презентован в феврале, в настоящее время поступил в массовое производство. 30nm 2Gb RAM модуль предлагает первую понастоящему высокую производительность, в основном благодаря инновационному дизайну цепи.
Тридцатый нано-класс DDR3 DRAM будет доставлять наибольшее удовлетворение пользователей своими возможностями, предлагая исключительно высокую производительность и пониженное энергопотребление для ПК и серверов, предназначенных для новых многоядерных процессоров.
Samsung говорит, 30nm-класс модуль, используемый для серверов может доходить до 1,866 Гбит / с в то время как потребление электроэнергии составит 1,35 вольта . По сравнению с DDR2 и DDR3 50 нм модуль, 30nm в основе DDR3 в 3,5 раза и 1,6 раза быстрее, соответственно.
Samsung планирует выпустить 30nm DDR3 РАМН в 4 Гб к концу года.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: